半導(dǎo)體是什么

半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體質(zhì)檢的材料，目前，常用的半導(dǎo)體材料包括三種：硅、鍺、砷化鎵。

平時(shí)說(shuō)的半導(dǎo)體，其實(shí)是指半導(dǎo)體元器件（或集成電路），也就是由半導(dǎo)體材料制造的電子元器件（或集成電路）。

半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體在我們熟悉的集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、汽車電子、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，而日置HIOKI的測(cè)試儀器如功率分析儀、記錄儀、數(shù)采、電池測(cè)試儀、LCR、阻抗測(cè)試儀等也在這些領(lǐng)域擔(dān)任著重要的測(cè)試任務(wù)。

日置HIOKI在半導(dǎo)體C-V測(cè)試上應(yīng)用

那么日置產(chǎn)品在半導(dǎo)體元器件（或集成電路）測(cè)試中的應(yīng)用有哪些呢？以晶圓級(jí)MOSFET為例，晶圓電容-電壓（C-V）特性曲線測(cè)試是半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試中的比較關(guān)注的一部分，CV頻率范圍根據(jù)不同的器件有1Hz-100Hz、10Hz-10KHz、10KHz-1MHz或者更高頻段，通過(guò)上位機(jī)軟件在固定頻段下以0.1V或者0.5V的步進(jìn)掃描電壓測(cè)試C值，電壓范圍有-5V~+5V、

-10V~+10V、-20V~+20V、-30V~

+30V、-40V~+40V或者更高。（支持第三方軟件控制）

通過(guò)C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，如：BJT晶體管，二極管與PN結(jié)，III-V族化合物，二維材料，金屬材料，光子檢測(cè)器件，鈣鈦礦與太陽(yáng)能電池，LED與薄膜晶體管，非易失性存儲(chǔ)器與材料，MEMS與傳感器，分子與納米器件，半導(dǎo)體器件特性分析與建模，器件噪聲特性分析以及檢測(cè)工藝參數(shù)和失效分析機(jī)制等。

擴(kuò)展應(yīng)用

半導(dǎo)參數(shù)測(cè)試中除了CV電容電壓特性曲線測(cè)試，還有IV電流電壓特性曲線測(cè)試，可以將LCR測(cè)試儀IM3536搭配皮安表SM7110以及其他測(cè)試儀器進(jìn)行系統(tǒng)集成。

劃重點(diǎn)

產(chǎn)品介紹

01、低頻阻抗分析儀IM3590

用于測(cè)試器件、材料等

● 針對(duì)DC以及1mHz~200kHz范圍內(nèi)的頻率帶寬可設(shè)置5位的分辨率（100Hz不到是1mHz分辨率）。能夠進(jìn)行共振頻率的測(cè)量和在接近工作條件的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)量、評(píng)估。

● 測(cè)量頻率1kHz，測(cè)量速度FAST時(shí)，可達(dá)最快2ms。有助于掃頻高速化。

● Z的基本精度是±0.05%。從零部件檢查到研究開發(fā)的測(cè)量，都能達(dá)到推薦精度。

02、LCR測(cè)試儀IM3536

直流偏置電壓高達(dá)±500V

● 測(cè)量頻率DC，4Hz~8MHz

● 測(cè)量時(shí)間：最快1ms

● 基本精度：±0.05% rdg.

● mΩ以上的精度保證范圍，也可安心進(jìn)行低阻測(cè)量

● 可內(nèi)部發(fā)生DC偏壓測(cè)量

● 從研發(fā)到生產(chǎn)線活躍在各種領(lǐng)域中

03、高頻阻抗分析儀IM7587

可穩(wěn)定測(cè)量高達(dá)3GHz的阻抗

● 測(cè)試電壓測(cè)量頻率：1MHz~3GHz

● 測(cè)量時(shí)間：最快0.5ms（模擬測(cè)量時(shí)間）

● 測(cè)量值偏差：0.07%（用3GHz測(cè)量線圈1nH時(shí)）

● 基本精度：±0.65% rdg.

● 緊湊主機(jī)僅機(jī)架一半大小，測(cè)試頭尺寸僅手掌大小

● 豐富的接觸檢查（DCR測(cè)量、Hi-Z篩選、波形判定）

● 分析模式下可以邊掃描測(cè)量頻率、測(cè)量信號(hào)電平邊進(jìn)行測(cè)量