國(guó)基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技術(shù)攻關(guān)，打造汽車(chē)電子中國(guó)“芯”
超凈廠房里，科研人員坐在電腦前操控，一臺(tái)臺(tái)精密儀器自動(dòng)化運(yùn)行；生產(chǎn)車(chē)間里，比繡花針還細(xì)的測(cè)試探針在芯片間高速移動(dòng)，這是自動(dòng)測(cè)試臺(tái)在對(duì)一片已完工的6英寸碳化硅晶圓進(jìn)行測(cè)試……走進(jìn)國(guó)基南方、55所碳化硅產(chǎn)線
2024-03-01
三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目加速投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年內(nèi)亮燈通線
作為重慶在半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一旗艦項(xiàng)目，位于西部（重慶）科學(xué)城的三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目在春節(jié)期間不停工，建設(shè)取得快速進(jìn)展，預(yù)計(jì)年內(nèi)亮燈通線，比原計(jì)劃提前2個(gè)月。三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目，包括一家專(zhuān)業(yè)從事碳化硅外延、
2024-02-22
第三代半導(dǎo)體材料將大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域
不同于第一代與第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在導(dǎo)熱率、抗輻射能力、擊穿電場(chǎng)能力、電子飽和速率等方面優(yōu)勢(shì)突出，更適用于高溫、高頻、抗輻射的場(chǎng)合。有關(guān)專(zhuān)家指出，第三代半導(dǎo)體器件將在新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。
2018-06-29
我國(guó)碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展
在國(guó)家863計(jì)劃支持下，經(jīng)過(guò)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所為牽頭單位的課題組不懈努力，成功研制出適用于4-6英寸SiC材料及器件制造的高溫高能離子注入機(jī)、單晶生長(zhǎng)爐、外延生長(zhǎng)爐等關(guān)鍵裝備并實(shí)現(xiàn)初步應(yīng)用。該課題近期通過(guò)科技部驗(yàn)收，研究成果有力保障了我國(guó)SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)“材料—裝備—器件”自主可控發(fā)展。
2018-05-10
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1. 羅德與施瓦茨重磅參展IBC 2019——將展示 5G 廣播技術(shù)下監(jiān)控即服務(wù)（MaaS）, IP多畫(huà)面監(jiān)看等
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