近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高功率激光物理聯(lián)合實驗室提出一種利用非線性光學(xué)技術(shù)測量材料線性電光系數(shù)的新方法，精確測得了K(H1-xDx)2PO4晶體電光系數(shù)與氘化率的關(guān)系曲線。相關(guān)工作發(fā)表于《光學(xué)快報》（Optics Express）。
現(xiàn)有的電光系數(shù)測量方法主要基于線性光學(xué)效應(yīng)，激光傳輸過程中偏振態(tài)的保持對其測量精度有決定性的影響。為此，研究人員提出一種基于二階非線性光學(xué)技術(shù)的電光系數(shù)測量方法，該方法只與非線性材料中的非線性光學(xué)過程有關(guān)，與其他傳輸過程無關(guān)，因而解決了測量精度受限于偏振態(tài)保持的問題。基于這一方法，對六種不同氘化率DKDP晶體的電光系數(shù)進行精確測量，得到K(H1-xDx)2PO4晶體的電光系數(shù)與氘化率的關(guān)系，并系統(tǒng)研究了KDP家族晶體四次諧波產(chǎn)生特性，為深紫外激光的產(chǎn)生提供了重要參考。該方法的提出為非線性光學(xué)材料基本參數(shù)的測量提供了新思路。
圖 K(H1?xDx)2PO4晶體（a）基于非臨界相位匹配FHG的電光系數(shù)測量方案 （b）基于電光調(diào)制相位匹配的FHG特性 （c）線性電光系數(shù)
