硅材料從大自然常見的沙子中取材，成本低、產量大，因此被廣泛用作MEMS器件的襯底材料，并被譽為信息時代的“骨干”材料。但是，硅在常溫環(huán)境下的脆性限制了MEMS的許多機械性能。蘇黎世聯(lián)邦理工學院（ETH）與瑞士國家聯(lián)邦實驗室（EMPA）材料與納米結構力學實驗室合作完成的新研究表明，在特定的受控條件下，硅可以成為又容易變形又堅固的材料。此項功能特性的增強將有助于解決MEMS機械性能極限難題。
電子顯微鏡下的硅柱形貌
歷經十年的研究成果
聯(lián)合小組經過長達十年的研究，重點是采用光刻工藝替代聚焦離子束（FIB）工藝來完成在硅晶圓上的結構制作。FIB雖然可以實現(xiàn)硅晶圓結構，但會對硅表面造成損傷并產生缺陷，硅晶圓開裂的風險較高。
為了找到替代方案，研究團隊嘗試了一套特殊光刻技術。“首先，我們使用等離子體氣體刻蝕硅表面無光刻膠保護的區(qū)域，從而獲得我們所需的結構——微型硅柱。”該研究小組負責人Jeff Wheeler的學生Ming Cheng解釋說，“在接下來的工藝步驟中，硅柱表面被氧化，氧化層厚度小于100 nm，再用氟化氫（HF）完全去除氧化層，完成表面清潔。”
研究團隊對硅柱的強度和塑性變形能力進行了測試，稱已經達到了超高的彈性應變極限和接近完美的強度——用光刻技術制作的硅柱變形能力是過去研究記錄的十倍以上。
左圖為硅柱制造流程示意圖，右圖為電子顯微鏡下的硅柱形貌展示
在電子顯微鏡下觀察不同直徑尺寸的硅柱
實現(xiàn)“絕對純度”，接近理論水平的堅固度
研究結果表明不僅硅柱的變形能力比過去增強了十倍，強度也達到了以往認知中只有理想晶體才能達到的理論水平。根據Wheeler介紹，硅柱如此堅固的原因來自硅柱表面的“絕對純度”，這是通過最后的清潔步驟實現(xiàn)的。該工藝大大減少了會導致硅材料開裂的表面缺陷數量。
采用光刻工藝完成的硅柱（實線）和FIB工藝完成的硅柱（虛線）在恒定應變速率為5 × 10?? s?1變化下的應力曲線對比
Wheeler還指出，團隊的研究結果可能會對硅基MEMS制造產生直接而深刻的影響：“通過這種工藝，有望將智能手機中的MEMS陀螺儀做得更小、更堅固?！?
Wheeler及其團隊研究的工藝方法已經被業(yè)界采用，用于改善現(xiàn)有工藝，以及晶體結構與硅類似的其它材料性能。
該項研究帶來的另一個優(yōu)點是可以改善材料的電性能。對硅施加較大的應力可以改善電子遷移率，將該結構集成到半導體芯片中可以縮短開關時間。
