日前，全國標準信息公共服務平臺公開發(fā)布信息，由昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司（簡稱：昆博研究院）牽頭起草的《微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片》獲批立項，正式進入起草階段，這是該研究院第二次牽頭制定國家標準。

近年來，昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司憑借其專業(yè)的技術(shù)水平和研發(fā)實力，牽頭起草制定了國家標準《微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 傳感器用MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗方法》，并牽頭成立了MEMS高端裝備應用標準化研究組，為我國在MEMS技術(shù)領(lǐng)域的標準化工作以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展不斷助力。此外，該研究院還積極參與了《MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗方法》《微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS材料微柱壓縮試驗方法》《微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 薄膜力學性能的鼓脹試驗方法》等國家標準的起草制定工作。

標準背景

隨著我國航空航天、工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，許多場景任務提出了多物理量、多參數(shù)并行測量和處理的要求，一體化多功能復合傳感器受到越來越多的關(guān)注。市面上常見的比較成熟的復合傳感器是溫度和壓力兩個物理量的測量。采用溫度與壓力集成芯片的方式實現(xiàn)單芯片多功能同時測量溫度和壓力信息，復合壓力傳感器芯片測溫元件可以準確反映壓力傳感器工作環(huán)境溫度，從而為溫度補償提供準確參考依據(jù)，提高傳感器精度，同時MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片能夠降低傳感器尺寸，提高集成度。

目前，國內(nèi)外沒有關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片專用標準，用戶和生產(chǎn)廠家之間沒有統(tǒng)一的質(zhì)量技術(shù)標準。本項目研究制定關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片通用技術(shù)標準，對適用于航空航天、工業(yè)、能源開發(fā)等領(lǐng)域的MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片基本性能要求及測試方法進行了規(guī)定。昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院研制我國自主的MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片國家標準，將彌補我國該領(lǐng)域的標準空白，加快我國MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片研發(fā)、生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本，提高我國MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片產(chǎn)品質(zhì)量，引領(lǐng)國產(chǎn)MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片進入國際市場。