第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)背景

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，是各國(guó)爭(zhēng)相發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域。第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料獨(dú)有的高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特性，不僅能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等最新需求，還可以降低50%以上的能量損失，最高可使裝備體積減小近75%，在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域具有里程碑意義。

隨著寬禁帶技術(shù)的進(jìn)步，材料工藝與器件工藝的逐步成熟，在一些高端應(yīng)用領(lǐng)域，正在逐步取代第一代、第二代半導(dǎo)體材料，建立了襯底、外延、器件以及應(yīng)用等完整的產(chǎn)業(yè)鏈。除了美國(guó)、歐洲、日本等高科技企業(yè)在技術(shù)上的強(qiáng)力推進(jìn)，國(guó)內(nèi)也有數(shù)十家科技企業(yè)投入大量資金布局第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。在大規(guī)模商用上，較高的技術(shù)門(mén)檻和成本依然是第三代寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展的瓶頸。

當(dāng)前整個(gè)電源產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著深刻的變革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)在眾多行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用，也給電源的開(kāi)發(fā)測(cè)試工作帶來(lái)了眾多的挑戰(zhàn)。

泰克科技始終密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展，通過(guò)和業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)的密切合作來(lái)開(kāi)發(fā)針對(duì)性的測(cè)試方案。基于其性能一枝獨(dú)秀的光隔離探頭以及示波器等產(chǎn)品，泰克為廣大電源工程師們提供卓越的完整測(cè)試解決方案。

碳化硅的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

應(yīng)用領(lǐng)域：

●新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)

●光伏及風(fēng)能逆變器

●PCS雙向變流器

●UPS

●服務(wù)器電源

●航空電源

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技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

●整體效率：有效提升2-5%

●體積：可以縮小25-50%

●重量：可以減少20-50%

●更好的抗高溫高壓能力

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研發(fā)測(cè)試難點(diǎn)及泰克提供的解決方案

研發(fā)過(guò)程中的測(cè)試難點(diǎn)：

●  傳統(tǒng)測(cè)試工具，測(cè)試結(jié)果會(huì)讓研發(fā)人員困擾，無(wú)法判斷真實(shí)的信號(hào)波形是因測(cè)試問(wèn)題導(dǎo)致，還是器件或系統(tǒng)本身的問(wèn)題。

●  GaN 應(yīng)用于PD快充，OBC，上管Vgs無(wú)法測(cè)試，不測(cè)試會(huì)導(dǎo)致燒板子，炸管，產(chǎn)品有安全隱患。

●  SiC多用于新能源逆變器、軌道交通、電驅(qū)動(dòng)等大功率器件的應(yīng)用，半橋及全橋電路上管無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量，不測(cè)試會(huì)導(dǎo)致燒板子，炸管，產(chǎn)品有安全隱患，會(huì)導(dǎo)致?tīng)奚黃iC的優(yōu)異性能來(lái)保證產(chǎn)品安全要求。

泰克提供的解決方案：

泰克推出第二代IsoVu隔離示波器探頭

推動(dòng)第三代半導(dǎo)體發(fā)展，為電源行業(yè)帶來(lái)技術(shù)革新

新的Tektronix IsoVu? Generation 2探頭提供了無(wú)與倫比的帶寬、動(dòng)態(tài)范圍、共模抑制以及多功能MMCX連接器的組合，為上管Vgs測(cè)量設(shè)置了新的標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)者終于能看到以前隱藏的信號(hào)特征。

●  1 GHz 光隔離探頭

●  更小的尺寸提升了DUT連接的便攜性

●  行業(yè)領(lǐng)先的的CMRR特性

●  完全光隔離技術(shù)

方案優(yōu)勢(shì)

●應(yīng)對(duì)SiC高頻挑戰(zhàn)

提供高達(dá)1GHz帶寬測(cè)試能力，相比較傳統(tǒng)的測(cè)試系統(tǒng)性能提升5倍。

●應(yīng)對(duì)更高精度挑戰(zhàn)

高精度測(cè)試系統(tǒng)，可以準(zhǔn)確測(cè)試Vgs、Vds 的開(kāi)關(guān)波形上升沿及下降沿細(xì)節(jié)，比8Bit系統(tǒng)分辨率提升16倍。

●應(yīng)對(duì)高共模電壓挑戰(zhàn)

高達(dá)120dB的共模抑制比TIVP光隔離探頭，共模抑制比性能比傳統(tǒng)差分探頭提升了1000倍。

●應(yīng)對(duì)干擾挑戰(zhàn)

光隔離探頭將信號(hào)和測(cè)試的電氣隔離，最大程度降低信號(hào)端噪聲對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，并全程光纖傳輸信號(hào)。

●應(yīng)對(duì)信號(hào)連接挑戰(zhàn)

采用MMCX及專(zhuān)用方形接口方式，最大程度降低線纜長(zhǎng)度引起的震蕩，并降低環(huán)境噪聲引入。