深硅刻蝕技術(shù)在工業(yè)界應(yīng)用廣泛，包括集成電路制造、微機電系統(tǒng)（MEMS）制造和微納光子學(xué)的研究等領(lǐng)域，其經(jīng)歷了由濕法刻蝕到干法刻蝕的演變，工藝能力和設(shè)備基材都得到了極大的發(fā)展。然而，在深硅刻蝕工藝中，高深寬比刻蝕仍然是深硅刻蝕工藝的技術(shù)難點和重點。目前，在百微米以內(nèi)的高深寬比深硅刻蝕已取得不錯的進展，然而對微納結(jié)構(gòu)的百微米以上的高深寬比刻蝕工藝仍不完善。常見的問題如刻蝕形貌側(cè)壁不平整、不垂直，底部表面不水平，刻蝕效率低等，制約了微納器件的進一步發(fā)展。

熱電堆芯片深硅刻蝕背面俯視實拍圖和示意圖

以最近火爆市場的熱電堆紅外傳感器芯片為例，其最后一步工藝為400微米的深硅刻蝕。實驗研究中使用KOH或TMAH濕法刻蝕深硅，一方面由于各向異性濕法刻蝕存在（111）面斜坡，另一方面腐蝕液對結(jié)構(gòu)層多晶硅和Al都有腐蝕性，因此熱電堆芯片工業(yè)生產(chǎn)中通常不使用濕法工藝。干法工藝具有分辨率高、刻蝕選擇比大、均勻性和重復(fù)性好，便于工藝監(jiān)控以及易于實現(xiàn)連續(xù)自動操作等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于微納制造生產(chǎn)工藝中。熱電堆芯片深硅刻蝕采用深反應(yīng)離子刻蝕工藝，基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與反應(yīng)離子刻蝕原理相同，通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。其工藝步驟為：鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕。鈍化為反應(yīng)室中通入C4F8氣體，通過化學(xué)反應(yīng)形成聚合物薄膜；刻蝕為反應(yīng)室中通入SF6氣體，進行物理和化學(xué)刻蝕。

深硅刻蝕基材實拍圖

目前，主流MEMS代工廠和各大高校平臺使用均為英國STS公司HRM刻蝕機和北方微電子自主研發(fā)的HSE/DSE系列刻蝕機，刻蝕均勻性±5%，邊壁角度：90±1°，刻蝕高深寬比超高400微米，然而刻蝕速率較低，約10-20um/min，且只能單片刻蝕，完成時間1小時/片。因此，深硅刻蝕是制約熱電堆產(chǎn)能的決定性工藝環(huán)節(jié)。

蘇州硅時代電子科技有限公司（以下簡稱“蘇州硅時代”）在MEMS加工（微納加工）、MEMS代工（微納代工）領(lǐng)域，擁有豐富的技術(shù)積累和工藝經(jīng)驗，在深硅刻蝕工藝方面積累了豐富的經(jīng)驗，同時深硅刻蝕設(shè)備部分剩余產(chǎn)能，望能與MEMS同行共同克服熱電堆產(chǎn)能不足的難關(guān)。

蘇州硅時代作為一家專注于MEMS設(shè)計、MEMS加工的高技術(shù)公司，擁有豐富的MEMS加工資源，可實現(xiàn)4/6/8寸MEMS芯片設(shè)計、代工，以及多種單步工藝代工的完整工藝能力。

蘇州硅時代擁有完整的熱電堆傳感器加工生產(chǎn)能力，可針對不同熱電堆設(shè)計方案給予專業(yè)全面的工藝建議和快速工藝可行性評估。全球疫情形勢依然嚴峻，為讓國產(chǎn)熱電堆芯片快速供給，蘇州硅時代可與業(yè)內(nèi)企業(yè)、個人、團隊建立靈活的合作模式，以期產(chǎn)品快速推向市場。

蘇州硅時代電子科技有限公司簡介

蘇州硅時代電子科技有限公司（Si-Era），位于國內(nèi)最大的MEMS產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)——蘇州納米城。利用MEMS領(lǐng)域近20年的技術(shù)積累，在MEMS傳感器、生物MEMS、光學(xué)MEMS以及射頻MEMS方面都擁有大量的設(shè)計和工藝經(jīng)驗。

基于成熟的設(shè)計及工藝團隊，蘇州硅時代面向MEMS領(lǐng)域，提供全方位的技術(shù)服務(wù)?？商峁㎝EMS芯片定制設(shè)計開發(fā)、集成電路芯片設(shè)計、MEMS芯片工藝驗證、MEMS芯片小批量試制、MEMS芯片中試化量產(chǎn)、MEMS芯片封裝方案設(shè)計等系統(tǒng)解決方案，也提供MEMS設(shè)計、加工、測試等單步或多步工藝實驗開發(fā)。

公司擁有強大的MEMS設(shè)計與加工實力，具備成熟的光刻、刻蝕、鍍膜、封裝、測試等微納加工能力。所使用設(shè)備狀況精良，設(shè)備能力優(yōu)異，并可多工藝合作開發(fā)，高效評估，高質(zhì)量實施，全流程收集實驗數(shù)據(jù)，精細的流程管理以及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。