7月30日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所曝出儀器設(shè)備采購需求，將以903萬的價(jià)格采購兩臺(tái)等離子設(shè)備。兩臺(tái)設(shè)備分別為厚氮化硅感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積臺(tái)和硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機(jī)。前者用于光波導(dǎo)器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀積，適用于波導(dǎo)器件中包層薄膜的沉積。后者用于堅(jiān)硬材料刻蝕形成波導(dǎo)，專為刻蝕鈮酸鋰材料研發(fā)，也可刻蝕氧化硅等材料。

項(xiàng)目名稱：2019年中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科研儀器設(shè)備采購項(xiàng)目（第三批）

項(xiàng)目編號(hào)：OITC-G190330983

采購單位聯(lián)系方式：

采購單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)

聯(lián)系方式：010-82304941/010-82304907

代理機(jī)構(gòu)聯(lián)系方式：

代理機(jī)構(gòu)：東方國際招標(biāo)有限責(zé)任公司

代理機(jī)構(gòu)聯(lián)系人：010-68290507

代理機(jī)構(gòu)地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)

采購詳情如下：

各設(shè)備工藝技術(shù)規(guī)格詳情：

厚氮化硅感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積臺(tái)

(1)氧化硅薄膜沉積

(2)氮化硅薄膜沉積

硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機(jī)

（1） 鈮酸鋰刻蝕工藝

（2） 氧化硅刻蝕工藝